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年销售额占比: 约40–50%（估算，FY2025，DBC基板占集团总营收比例）
预计出货量: '约1,000–1,500万片（估算，含各尺寸合计）'
单价: 约5–30美元/片（估算，小尺寸约5–10美元，大尺寸约20–30美元）
segment: 半导体材料
上游到底: 是
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# 产品介绍

> 如果把功率模块比作一辆电动汽车的「动力心脏」，那DBC基板就是这颗心脏的「散热骨架」——它像一块三明治，中间是陶瓷绝缘层（氧化铝或氮化铝），两面是铜箔导电层，通过直接键合技术将铜与陶瓷牢固结合。当功率芯片（如SiC MOSFET）工作时，产生的热量通过上层的铜箔传导到陶瓷基板，再由陶瓷基板扩散到下层的铜箔和散热器，实现电气绝缘与高效散热的双重功能。

罗杰斯的curamik® DBC基板覆盖**氧化铝（Al₂O₃）DBC和氮化铝（AlN）DBC**两大品类：
- **Al₂O₃ DBC**：成本较低，导热系数约24 W/m·K，适用于中低功率IGBT模块
- **AlN DBC**：成本较高，导热系数约170 W/m·K，适用于高功率SiC模块和高端IGBT模块

在AI产业链中，DBC基板的核心应用是**AI服务器电源中的SiC功率模块**：
- **SiC MOSFET模块**：SiC芯片工作温度高（结温可达175℃），需要高导热AlN DBC基板快速散热
- **IGBT模块**：传统硅基IGBT模块使用Al₂O₃ DBC基板

# 关键规格

| 指标 | Al₂O₃ DBC | AlN DBC | Al₂O₃/ZTA DBC |
| --- | --- | --- | --- |
| 陶瓷材料 | 氧化铝（96%） | 氮化铝 | 氧化锆增韧氧化铝 |
| 导热系数 | 24 W/m·K | 170 W/m·K | 28 W/m·K |
| 热膨胀系数 | 7.2 ppm/℃ | 4.6 ppm/℃ | 7.2 ppm/℃ |
| 铜箔厚度 | 0.2–0.6 mm | 0.2–0.6 mm | 0.2–0.6 mm |
| 陶瓷厚度 | 0.25–1.0 mm | 0.5–1.0 mm | 0.25–1.0 mm |
| 绝缘耐压 | >15 kV/mm | >15 kV/mm | >15 kV/mm |
| 铜键合强度 | >50 N/cm | >50 N/cm | >50 N/cm |
| 热循环可靠性 | >1,000次（-40℃~150℃） | >1,000次（-40℃~150℃） | >1,000次 |
| 主要应用 | 中低功率IGBT | 高功率SiC/IGBT | 中高功率IGBT |

> 数据来源：公司官网、产品规格书、JEDEC标准。具体规格以官方数据手册为准。

# AI产业链角色

> DBC基板是AI服务器电源SiC功率模块的**「散热骨架」**——它不直接产生算力，但没有它，SiC芯片在高温下会迅速过热失效，12kW PSU的功率密度优势将无从发挥。

- **SiC模块的散热核心**：SiC MOSFET的开关损耗虽远低于IGBT，但在50–100kHz高频开关下，开关频率是传统IGBT的3–5倍，单位时间内的开关次数更多，累积的开关损耗不容忽视。AlN DBC基板170 W/m·K的导热系数可将芯片结温控制在安全范围内，是SiC模块可靠工作的物理基础。
- **国产替代的关键材料**：高端DBC基板（尤其是AlN DBC）长期被罗杰斯和贺利氏垄断，国产化率不足30%。在中美科技脱钩背景下，DBC基板的国产替代是SiC功率模块产业链自主可控的关键一环。
- **价值量占比**：在SiC功率模块BOM中，DBC基板约占10–15%，是除芯片外价值量最高的单一材料。
- **尺寸升级趋势**：随着SiC模块功率密度提升，DBC基板面积从30×30 mm增大到50×50 mm甚至更大，单片价值量相应提升。

# 其他说明

- **年销售额占比**：约40–50%为**估算**值。罗杰斯营收中先进电子解决方案（AES）约占50–60%，其中DBC基板约占AES的70–80%。
- **出货量**：2026年预计约1,000–1,500万片为**估算**。全球DBC基板市场规模约2,000–2,500万片/年，罗杰斯约占40–50%份额。
- **单价口径**：5–30美元/片为**参考区间**：
  - Al₂O₃ DBC（小尺寸，如30×30 mm）：约5–10美元/片
  - Al₂O₃ DBC（大尺寸，如50×50 mm）：约10–15美元/片
  - AlN DBC（小尺寸）：约15–20美元/片
  - AlN DBC（大尺寸）：约25–30美元/片
- **技术约束**：
  - 铜键合强度：DBC基板的核心工艺是在约1,065℃下将铜箔直接键合到陶瓷表面，键合强度需>50 N/cm，任何气孔或分层都会导致模块失效。
  - 热循环可靠性：功率模块在工作时会经历-40℃（冷启动）到150℃（满载）的温度循环，DBC基板需承受1,000次以上循环而不发生铜层剥离或陶瓷开裂。
  - 蚀刻精度：DBC基板表面的铜箔需蚀刻出精确的电路图形，线宽/线距精度要求±50 μm，对大尺寸基板的蚀刻均匀性要求极高。
- **竞争动态**：
  - 海外：罗杰斯（美国，全球龙头）、贺利氏（德国，全球第二）等。
  - 国内：陶氏科技（未上市，国内龙头）、博敏电子（603936.SH，DBC业务占比小）、珠海汉瓷等。国内厂商在Al₂O₃ DBC领域已实现量产，但AlN DBC和高端产品仍有差距。
- **产能布局**：全球生产中心在德国（curamik）、美国、中国苏州等地。

# 产品细分清单

| 分类 | 陶瓷材料 | 尺寸范围 | 主要应用 | 单价（美元/片，估算） |
| --- | --- | --- | --- | ---: |
| 标准Al₂O₃ DBC | 氧化铝96% | 30×30 – 50×50 mm | 中低功率IGBT | 5–15 |
| 高纯Al₂O₃ DBC | 氧化铝99.6% | 30×30 – 50×50 mm | 中高功率IGBT | 10–20 |
| AlN DBC | 氮化铝 | 30×30 – 60×60 mm | 高功率SiC/IGBT | 15–30 |
| AMB基板 | 氮化硅/氮化铝 | 50×50 – 100×100 mm | 超高功率SiC（下一代） | 30–50 |

> 注：以上分类和单价为估算值（来源：公司年报、券商研报、行业公开数据），实际以官方披露为准。

### 上游产品

（已到最上游原材料/源头）

### 下游产品

- [斯达半导-IGBT及SiC功率模块](斯达半导-IGBT及SiC功率模块.md)：中信建投深度研报（2020年）披露，斯达半导前五大供应商中罗杰斯（DBC基板）排名第四；罗杰斯curamik® DBC/AMB陶瓷基板是IGBT模块的核心绝缘导热材料，属业内公认供应关系。
