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年销售额占比: 约90%（估算，FY2025，SiC衬底占集团总营收比例）
预计出货量: 约30–40万片（估算，含6英寸导电型和半绝缘型合计）
单价: '约500–1,500美元/片（估算，6英寸导电型约500–800美元，半绝缘型约1,000–1,500美元）'
segment: 半导体材料
上游到底: 是
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# 产品介绍

> 如果把SiC功率芯片比作一辆超跑，那SiC衬底就是这辆超跑的「赛道」——它决定了芯片能跑多快、跑多稳、跑多久。SiC（碳化硅）衬底是由高纯度SiC粉末在高温（2,300℃以上）下生长成的单晶圆片，是制造SiC MOSFET、SiC SBD等功率器件的基底材料。与硅衬底相比，SiC衬底的禁带宽度是硅的3倍、热导率是硅的3倍、击穿电场强度是硅的10倍，这使得SiC器件可在更高电压、更高温度和更高频率下工作。

天岳先进的SiC衬底产品覆盖**半绝缘型和导电型**两大品类，尺寸覆盖2–8英寸，其中6英寸导电型衬底是主力产品。在AI产业链中，导电型SiC衬底的核心应用是**AI服务器电源（PSU/Power Shelf）中的SiC MOSFET芯片**：
- **SiC MOSFET衬底**：6英寸N型导电型衬底，用于制造650V–1,700V SiC MOSFET芯片
- **SiC SBD衬底**：用于制造SiC肖特基二极管，与SiC MOSFET配合使用

# 关键规格

| 指标 | 6英寸导电型SiC衬底 | 6英寸半绝缘型SiC衬底 | 8英寸导电型SiC衬底 |
| --- | --- | --- | --- |
| 直径 | 150 mm | 150 mm | 200 mm |
| 厚度 | 350 μm ± 25 μm | 500 μm ± 25 μm | 350 μm ± 25 μm |
| 晶型 | 4H-SiC | 4H-SiC | 4H-SiC |
| 掺杂类型 | N型（氮掺杂） | 高纯半绝缘（钒掺杂） | N型（氮掺杂） |
| 电阻率 | 0.015–0.028 Ω·cm | >10⁶ Ω·cm | 0.015–0.028 Ω·cm |
| 微管密度 | <1 cm⁻² | <1 cm⁻² | <0.5 cm⁻²（目标） |
| 位错密度 | <5,000 cm⁻² | <5,000 cm⁻² | <3,000 cm⁻²（目标） |
| 表面粗糙度 | Ra ≤ 0.3 nm | Ra ≤ 0.3 nm | Ra ≤ 0.3 nm |
| 主要应用 | 功率器件（MOSFET/SBD） | 射频器件（HEMT） | 功率器件（下一代） |

> 数据来源：天岳先进官网、产品规格书、SEMI标准。具体规格以官方数据手册为准。

# AI产业链角色

> SiC衬底是AI算力基础设施电源系统的**「最上游材料节点」**——它不直接出现在服务器中，但没有它，SiC MOSFET芯片就无法制造，12kW/33kW超高功率密度PSU也就无法实现。

- **SiC高频化的物质基础**：SiC MOSFET可在50–100kHz甚至更高频率下工作，是传统硅基IGBT的3–5倍。这种高频优势使PSU的磁性元件（变压器、电感）体积可减小30–50%，是实现12kW/24kW超高功率密度的关键。而SiC衬底的晶体质量直接决定了SiC芯片的导通电阻、开关损耗和可靠性。
- **国产替代的最上游**：SiC衬底是整个SiC产业链中技术壁垒最高、国产化率最低的环节。全球SiC衬底市场长期被Wolfspeed（美国）、Coherent（美国）垄断，天岳先进是国内技术最接近海外龙头、量产进度最快的厂商。在中美科技脱钩背景下，SiC衬底的国产替代意义比SiC模块本身更为紧迫——没有衬底，就没有芯片。
- **需求放大器**：每台AI服务器PSU需要4–8颗SiC MOSFET芯片，每片6英寸SiC衬底可切割约200–400颗芯片（依芯片面积而定）。若2026年全球AI服务器出货50万台，仅AI服务器电源一项就带来约5–10万片SiC衬底需求。
- **尺寸升级的价值跃迁**：从6英寸升级到8英寸，单片衬底可切割的芯片数量从约200–400颗增至约400–800颗，单位芯片成本可降低约40–50%。8英寸衬底量产是SiC器件成本下降、大规模替代硅基IGBT的关键。

# 其他说明

- **年销售额占比**：约90%为**估算**值。天岳先进营收中SiC衬底是绝对主力，少量晶棒销售和加工服务约占5–10%。
- **出货量**：2026年预计约30–40万片为**估算**。2025年实际出货量约20–25万片，随着上海临港基地投产和产能爬坡，2026年有望继续提升。
- **单价口径**：500–1,500美元/片为**参考区间**。SiC衬底价格随尺寸、导电类型、缺陷密度差异极大：
  - 6英寸导电型：2022年高点约1,000–1,500美元/片，2024–2025年随产能释放降至500–800美元/片
  - 6英寸半绝缘型：因技术壁垒更高，价格约1,000–1,500美元/片
  - 8英寸导电型：目前价格约3,000–5,000美元/片（小批量），量产目标降至1,500–2,000美元/片
- **技术约束**：
  - 长晶速度极慢：SiC单晶生长速度仅0.1–0.5 mm/h，生长一片350 μm厚的衬底需要7–10天，且良率仅约50–60%。
  - 缺陷控制：微管（Micropipe）和位错（Dislocation）是SiC衬底的核心缺陷，微管密度需控制在<1 cm⁻²以下才能满足功率器件要求。
  - 设备依赖进口：长晶炉（PVT法）主要来自日本、欧洲供应商，国产替代正在推进中。
- **竞争动态**：
  - 海外：Wolfspeed（美国，全球龙头，8英寸领先）、Coherent（美国，全球第二）、SiCrystal（日本，罗姆子公司）等。
  - 国内：天岳先进、天科合达、三安光电（垂直整合）、露笑科技、东尼电子等。天岳先进在6英寸导电型衬底的产能和技术领先性上优势明显。
- **产能布局**：国内主力产线在山东济南（总部）、上海临港（新建基地，规划年产能30万片）；海外暂无产线。

# 产品细分清单

| 分类 | 尺寸 | 导电类型 | 主要应用 | 单价（美元/片，估算） |
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| 导电型SiC衬底 | 4英寸 | N型 | 中小功率器件、射频 | 200–400 |
| 导电型SiC衬底 | 6英寸 | N型 | 功率器件（MOSFET/SBD） | 500–800 |
| 半绝缘型SiC衬底 | 6英寸 | 高纯半绝缘 | 射频器件（HEMT） | 1,000–1,500 |
| 导电型SiC衬底 | 8英寸 | N型 | 下一代大功率器件 | 3,000–5,000 |

> 注：以上分类和单价为估算值（来源：公司年报、券商研报、行业公开数据），实际以官方披露为准。

### 上游产品

（已到最上游原材料/源头）

### 下游产品

- [斯达半导-IGBT及SiC功率模块](斯达半导-IGBT及SiC功率模块.md)：天岳先进是国内SiC导电型衬底龙头供应商，斯达半导SiC功率模块采用国产SiC衬底；构成国产碳化硅产业链上游衬底（天岳先进）→中游模块封装（斯达半导）的配套关系。来源：OFweek及行业碳化硅产业链深度研报
- [英飞凌-IGBT及SiC模块](英飞凌-IGBT及SiC模块.md)：英飞凌与天岳先进签订长期SiC衬底及晶锭供应协议，天岳先进供应150mm及未来200mm直径SiC衬底，供应量将占英飞凌长期需求的双位数百分比（来源：ab-sm.com，dramx.com）。
