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年销售额占比: ~10%（估算，FY2025）
预计出货量: 较2025年增长约200%-300%（CLSA预计三星HBM整体出货量达2025年三倍；HBM3E与HBM4共存）
单价: 约150-250美元/堆栈（12层，估算）
segment: HBM
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# 产品介绍

> HBM3e 就像给 AI 芯片配备的"超高速显存磁悬浮列车"。传统 GDDR 显存是城市主干道，车辆多、红绿灯多；HBM3e 则是在 GPU 芯片旁边直接修建的多层立体交通枢纽——通过 3D 堆叠技术，在指甲盖大小的空间里堆起 12 层 DRAM 芯片，实现每秒超过 1 TB 的数据吞吐。没有它，英伟达 B300 GPU 的大模型推理和训练都会被显存带宽"卡脖子"。

三星是全球三大 HBM 供应商之一（与 SK海力士、美光并列）。其 12 层 HBM3E（12H）于 2025 年 9 月通过英伟达认证，成为英伟达 GB300 NVL72 整机柜的 HBM3e 供应商之一。

# 关键规格

| 指标 | 8层 HBM3E | 12层 HBM3E |
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| 单堆栈容量 | 24 GB | 36 GB |
| 堆叠层数 | 8 层 | 12 层 |
| I/O 速率 | 9.2 Gbps | 9.2 Gbps |
| 单堆栈带宽 | ~1.2 TB/s | ~1.28 TB/s |
| DRAM 制程 | 1α nm / 1b nm | 1α nm / 1b nm |
| 封装技术 | TC-NCF（热压非导电薄膜） | TC-NCF |
| 单堆栈功耗 | ~26 W（估算） | ~40 W（估算） |
| 主要客户 | AMD、博通、AWS | 英伟达、AMD、博通 |

> 数据来源：三星官方技术文档、JEDEC HBM3E 标准、行业分析师报告。功耗为基于 TDP 的估算值。

# AI产业链角色

> 三星 HBM3e 是 AI 算力芯片**显存带宽瓶颈的关键解药**，也是三星在 AI 时代存储业务复兴的**战略押注**。

- **内存墙突破者**：AI 大模型参数量从百亿到万亿级膨胀，训练与推理对显存容量和带宽的需求远超传统 GDDR 的供给能力。HBM3e 以 TB/s 级带宽和 36 GB/堆栈的容量，让 B300 等 AI GPU 能够"喂饱"算力。
- **三家供应商中的追赶者**：SK海力士在 HBM3E 上市占率约 70%，美光第二，三星第三。三星虽然通过英伟达认证较晚（2025 年 9 月），但凭借 IDM 垂直整合优势（自产 DRAM + 自研 TSV/封装），正在快速扩产。
- **GB300 的标配组件**：GB300 NVL72 整柜每颗 B300 搭载 288 GB HBM3e（8 个 36 GB 堆栈），整柜约 20.7 TB。三星作为三家供应商之一，直接受益于 GB300 的放量。
- **风向标**：三星 HBM3E 的良率、散热表现和英伟达认证进度，是观察其能否在 HBM4 时代扳回一城的前置指标。

# 其他说明

- **单价口径**：150–250 美元/堆栈（12 层）为行业分析师**估算**值。HBM 通常以与 GPU 合封后的模块形式销售，单独堆栈的现货报价不透明；实际成交价因客户批量采购、长期协议和封装绑定而异。
- **出货量**：2026 年"较 2025 年增长 200%–300%"为 CLSA **预计**（指三星 HBM 整体，含 HBM3E 与 HBM4）。由于 HBM4 于 2026 年 Q1 开始量产，HBM3E 的绝对出货量增长会被 HBM4 部分分流。
- **年销售额占比**：~10% 为**估算**（基于 FY2025 存储业务营收占比 ~40%，HBM 占存储营收约 25% 的全年平均推算）。
- **技术约束**：三星 HBM3E 采用 TC-NCF 封装技术，散热表现略逊于 SK海力士的 MR-MUF 方案，导致英伟达认证延迟约 12–18 个月。三星计划在 HBM4 中引入混合键合（Hybrid Bonding）以改善散热和堆叠密度。
- **认证时间线**：三星 8 层 HBM3E 于 2024 年通过部分客户认证；12 层 HBM3E 于 2025 年 9 月通过英伟达最终认证，2025Q4 开始正式出货（来源：财联社、IT之家）。

# 产品细分清单

| 分类 | 型号 | 堆叠层数 | 单堆栈容量 | 单堆栈带宽 | 主要客户 | 说明 |
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| HBM3E 8H | KHBA84A03C-MC1H | 8 层 | 24 GB | ~1.2 TB/s | AMD、博通、AWS | 较早量产，主要面向非英伟达客户 |
| HBM3E 12H | KHBA84A03D-MC1H | 12 层 | 36 GB | ~1.28 TB/s | 英伟达、AMD | 2025Q4 通过英伟达认证，GB300 主力配置 |

> 数据来源：三星官方产品编号规则、行业研报、供应链消息。具体型号名称为行业流传，以官方披露为准。

### 上游产品

- [ASML-EUV光刻设备](ASML-EUV光刻设备.md)：三星2025年3月于其华城园区引入首台ASML High NA EUV光刻机（单台价格约5000亿韩元），ASML是全球唯一EUV光刻机供应商，三星采购EUV设备用于HBM及先进逻辑制程已属公开事实（来源：新浪财经/三星官方报道，2025年3月）。
- [三星-晶圆代工](三星-晶圆代工.md)：三星半导体官网及SemiAnalysis报道，三星HBM3e采用三星自有Foundry（三星晶圆代工）生产base die逻辑层，三星凭借存储+代工一体化战略为HBM提供内部代工服务（官网披露三星HBM turnkey策略，含Foundry整合）。
- [台积电-先进封装](台积电-先进封装.md)：HBM堆叠封装
- [应用材料-沉积与刻蚀设备](应用材料-沉积与刻蚀设备.md)：应用材料（Applied Materials）在HBM混合键合及高密度互连工序中提供薄膜沉积与刻蚀设备，行业研报指出AMAT是三星、SK海力士等HBM厂商的核心沉积/刻蚀设备供应商（来源：国内HBM产业链专题研报，2024年11月）。
- [泛林-刻蚀设备](泛林-刻蚀设备.md)：HBM制造需要TSV深孔刻蚀工序，泛林（Lam Research）是全球刻蚀设备龙头（市占率约46%），东吴证券产业链研报指出泛林为SK海力士、三星HBM等存储厂的刻蚀设备主力供应商（产业配套推断，来源：东吴证券《海外半导体设备巨头巡礼》2024）。

### 下游产品

- [AMD-MI350加速器](AMD-MI350加速器.md)：三星为AMD MI350系列供应12层堆叠HBM3e（288GB），AMD于2025年6月12日发布活动上确认三星与美光为双供应商（TrendForce 2025-06-13；KED Global 2025-06-13）。
- [工业富联-整机柜组装](工业富联-整机柜组装.md)：三星HBM3e于2025年通过英伟达验证并开始向其供货，工业富联组装的英伟达AI服务器将集成三星HBM3e（据行业媒体报道，英伟达2025年引入三星HBM3e作为补充供应来源，整机组装厂随之集成）。
- [英伟达-GB300_NVL72_整机柜](英伟达-GB300_NVL72_整机柜.md)：三星于 2025 年通过 NVIDIA 的 12 层 HBM3e 资格认证，预计于 2025 年底进入 GB300 HBM3e 供应链，但初期供应量低于 SK 海力士（KED Global 2025-09-19 / TrendForce）。
- [英伟达-GPU](英伟达-GPU.md)：据TrendForce集邦咨询及东方财富研报，英伟达H200采用HBM3e，三星HBM3e经验证后于2024年第二季开始向英伟达出货，SK海力士与三星为英伟达GPU的HBM3e核心供应商（来源：trendforce.cn，dfcfw.com）。
