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年销售额占比: ~22%（HBM整体占美光营收；HBM3e为其中主力，估算）
预计出货量: 约2000万颗（12-Hi 36GB等效，估算）
单价: 约400美元/颗（12-Hi 36GB，估算）
segment: HBM
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# 产品介绍

> HBM3e 就像是给 GPU 配备的「超高速快递专列」——普通 DDR 内存是城市公路，HBM3e 则是在 GPU 旁边直接架设的专用高铁，带宽极高、延迟极低，是 AI 大模型训练和推理的「存力」核心。

美光 HBM3e 采用 1β 制程节点，主打低功耗差异化。美光声称其 HBM3e 在同等带宽下比竞品低约 30% 的功耗（vendor-published 数据）。12-Hi（12 层堆叠）版本提供 36GB 单栈容量，已被英伟达 GB300 采用。美光在 HBM 领域曾长期落后，但凭借 HBM3e 的追赶和 HBM4 的加速布局，市占率已提升至全球前三（约 21%，Counterpoint / TrendForce 2025Q2 数据）。

# 关键规格

| 指标 | 参数 |
| --- | --- |
| 制程节点 | 1β（美光自研 DRAM） |
| 堆叠高度 | 8-Hi / 12-Hi |
| 单栈容量 | 24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi） |
| 单颗 GPU 搭载量 | 288GB（GB300，共 8 栈 × 36GB） |
| I/O 速率 | 9.8 Gbps / pin（HBM3e） |
| 单栈带宽 | ~1.2 TB/s |
| 功耗 | 美光声称比竞品低 ~30%（同带宽下） |
| 单价 | ~400 美元 / 栈（12-Hi 36GB，估算） |

# AI产业链角色

- **算力瓶颈的「存储阀门」**：GPU 算力再强，如果显存带宽和容量跟不上，模型权重无法及时加载，算力就会空置。HBM3e 是当前 AI 训练/推理芯片的标配显存，其供应直接决定 GPU 能否大规模出货。
- **产能挤出效应**：HBM 制造消耗大量先进 DRAM 产能（TSV、堆叠、测试），挤占了传统 DDR 和 LPDDR 的供给，导致整个存储行业结构性紧缺。美光 CEO 表示，中期内仅能满足关键客户 50%–67% 的需求。
- **价值集中度高**：HBM 占 GPU BOM 成本的显著比例。以 GB300 为例，整柜 72 颗 GPU 共需 ~20.7 TB HBM3e，是整机柜除 GPU 本体外最核心的成本项之一。
- **地缘与供应链安全角色**：美光是唯一在美国本土拥有 DRAM 产能的 HBM 供应商（Idaho ID-1 已于 2025 年 10 月投产，New York Clay 大厂提前至 2027 年），在「去地缘风险」叙事中具备独特战略价值。

# 其他说明

- **单价口径**：~400 美元 / 栈为 12-Hi 36GB 的估算值，实际合同价因客户、批量、长协条款而异。HBM4 定价预计较 HBM3e 高 30%–50%（RBC / 管理层指引）。
- **出货量估算**：2026 年出货量基于 TrendForce 全球 HBM 需求预测 × 美光市占率（~21%）折算，其中 HBM3e 占美光 HBM 出货的绝大部分（HBM4 于 2026H2 开始放量）。
- **来源**：财务与出货量数据综合美光财报法说会、TrendForce、Counterpoint、瑞银 / RBC / 德银研报。
- **技术约束**：HBM 制造涉及 TSV（硅通孔）、微凸点、热压键合等复杂工艺，良率爬坡周期长；美光 HBM3e 良率已达标，但 HBM4 与 SK 海力士仍有约 6 个月差距。

# 产品细分清单

（HBM3e 为标准化存储栈产品，无进一步 BOM 细分；按堆叠高度区分如下）

| 分类 | 型号 | 单栈容量 | 目标平台 | 说明 |
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| 8-Hi | HBM3e 8-Hi | 24GB | GB200 / H200 等 | 8 层 DRAM 堆叠 + 1 层基础 die |
| 12-Hi | HBM3e 12-Hi | 36GB | GB300 / B300 等 | 12 层 DRAM 堆叠 + 1 层基础 die，美光当前主力出货型号 |

### 上游产品

- [ASML-EUV光刻设备](ASML-EUV光刻设备.md)：美光HBM3E采用先进制程堆叠工艺，1γ节点引入EUV光刻，ASML是全球唯一EUV光刻机供应商；美光HBM产线与DRAM产线共用先进制程设备，EUV设备是先进DRAM制造必需（美光1γ DDR5/HBM3E量产报道，IT之家）。
- [台积电-先进封装](台积电-先进封装.md)：HBM堆叠封装
- [应用材料-沉积与刻蚀设备](应用材料-沉积与刻蚀设备.md)：应用材料是全球最大半导体设备商，提供HBM制造所需的CVD/ALD沉积及刻蚀设备；HBM产业链专题报告明确指出应用材料是HBM上游设备供应商之一（东方财富HBM专题报告）。
- [泛林-刻蚀设备](泛林-刻蚀设备.md)：泛林（Lam Research）是全球最大刻蚀设备供应商，HBM生产中堆叠工艺需要大量刻蚀步骤，泛林设备是HBM制造产线必配（HBM产业链专题报告，东方财富研报）。

### 下游产品

- [AMD-MI350加速器](AMD-MI350加速器.md)：美光为AMD MI350系列供应12层HBM3e（288GB），AMD于2025年6月12日发布活动确认，美光HBM3e 12-Hi同时供货MI350和英伟达Blackwell平台（TrendForce 2025-06-13；美光官方声明）。
- [英伟达-GB300_NVL72_整机柜](英伟达-GB300_NVL72_整机柜.md)：美光 HBM3e 12H 36GB 已设计进入 NVIDIA GB300 NVL72 平台，但据 TrendForce 报道，初期 GB300 HBM3e 订单主要被 SK 海力士独占；美光 HBM3e 处于设计验证阶段，量产供货待确认（TrendForce 2025-03-18 / WCCFTech）。
