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年销售额占比: 55%
单价: 数百万至数千万美元不等
segment: 半导体设备
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# 产品介绍

> 如果把光刻比作「在芯片上画蓝图」，那么刻蚀就是「按蓝图施工」——用高能等离子体像微型电钻一样，在硅晶圆上精确去除不需要的材料，形成电路图案。泛林是全球刻蚀设备的绝对龙头，尤其在「高深宽比刻蚀」领域拥有不可替代的技术统治力：当前 3D NAND 闪存已堆叠到 400+ 层，需要在仅几微米宽的孔洞中垂直刻蚀 10 微米深，深宽比超过 90:1，这种「在头发丝上钻深井」的工艺，全球只有泛林能稳定量产。

# 关键规格

| 指标 | 参数 |
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| 核心产品线 | ICP 导体刻蚀 / CCP 介质刻蚀 / DRIE 深硅刻蚀 / ALE 原子层刻蚀 |
| 全球刻蚀市占率 | 约 46%（行业第一） |
| 导体刻蚀市占率 | 约 51%（Kiyo / Sense.i 系列） |
| 介质刻蚀市占率 | 约 40%（Flex / Vantex 系列，与 TEL 竞争） |
| 高深宽比刻蚀能力 | 深宽比 ≥ 90:1（Prevos / Sense.i 系列） |
| 支持制程节点 | 3nm GAA / 400+ 层 3D NAND / HBM TSV |
| 单台价格区间 | 数百万美元 – 2,000+ 万美元 |
| 主要客户 | 台积电、三星、美光、SK 海力士、英特尔 |

# AI产业链角色

> 泛林刻蚀设备是 AI 算力芯片制造的**「工艺施工队」**——光刻画出图案后，必须由刻蚀设备将其转化为真实的电路结构。在先进制程中，刻蚀步骤数已超过光刻，成为工序最多的环节。

- **不可替代性**：
  - **3D NAND**：400+ 层堆叠需要高深宽比通道孔刻蚀，泛林 Prevos 系列搭载 Cryo 3.0 低温刻蚀技术，是唯一能量产的解决方案。
  - **GAA 晶体管**：环绕栅极结构需要原子级精度的纳米片刻蚀，泛林 Sense.i / Aqara 系列是台积电、三星 GAA 量产的 Tool-of-Record。
  - **HBM**：硅通孔（TSV）刻蚀需要深硅刻蚀能力，泛林 Syndion 系列是主流方案。
- **需求放大器**：
  - 制程越先进，刻蚀步骤越多：20nm 约 50 次，3nm 超过 100 次。
  - 3D NAND 层数每翻倍，高深宽比刻蚀需求呈指数增长。从 128 层到 400+ 层，刻蚀设备投资占比从 20% 提升至 50%。
- **价值集中处**：在晶圆厂设备 capex 中，刻蚀设备占比约 20–22%，仅次于光刻和沉积设备。

# 其他说明

- **单价**：低端刻蚀设备数百万美元，高端 GAA / 高深宽比刻蚀设备可达 1,500–2,500 万美元以上。
- **出货量**：设备按台数统计意义不大。FY2025 刻蚀相关收入约 110–120 亿美元。
- **年销售额占比**：55% 为刻蚀设备占泛林集团总营收比例（FY2025 估算）。
- **竞争动态**：
  - 导体刻蚀：泛林（51%）> 应用材料 > 东京电子
  - 介质刻蚀：东京电子（52%）> 泛林（40%）> 应用材料
  - 高深宽比刻蚀：泛林几乎垄断
- **Aqara 系统**：FY2025 装机量翻倍，在先进代工逻辑的 EUV 及高纵横比刻蚀应用中赢得量产 Tool-of-Record，预计下一代 GAA 中应用数量将增长约两倍。

# 产品细分清单

泛林刻蚀设备按工艺类型划分：

| 分类 | 产品系列 | 技术类型 | 主要应用 | 全球市占（估算） | 说明 |
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| **导体刻蚀** | Kiyo / Sense.i / Aqara | ICP（电感耦合） | 硅栅极、金属栅极、GAA 纳米片 | 约 51% | 导体刻蚀绝对龙头 |
| **介质刻蚀** | Flex / Vantex / Sense.i | CCP（电容耦合） | 氧化硅、氮化硅、低K介质 | 约 40% | 与 TEL 直接竞争 |
| **深硅刻蚀** | Syndion | DRIE | TSV、MEMS、CIS | 约 60%+ | HBM / 先进封装核心 |
| **高深宽比刻蚀** | Prevos / Sense.i | Cryo 低温刻蚀 | 3D NAND 通道孔（400+ 层） | 约 90%+ | 近乎垄断 |
| **原子层刻蚀** | Argos / Selis | ALE | GAA 选择性刻蚀、DRAM 4F² | — | 新兴高价值领域 |
| **清洗/去胶** | Coronus / Da Vinci | 等离子体/湿法 | 刻蚀后清洗、去胶 | 约 10% | 辅助业务 |

### 上游产品

- [Atlas_Copco-真空泵](Atlas_Copco-真空泵.md)：半导体设备零部件行业报告指出，Edwards真空泵（2014年被Atlas Copco并购）是半导体刻蚀/CVD设备的核心配件，是泛林等刻蚀设备厂的重要真空泵供应商；Atlas Copco通过Edwards品牌向泛林供应真空泵（产业配套推断，行业研报印证）。
- [Edwards-真空泵](Edwards-真空泵.md)：半导体设备零部件行业报告（2022年）明确，Edwards是国际领先真空泵企业之一，广泛应用于刻蚀、成膜等半导体制造环节，是泛林等刻蚀设备厂的核心零部件供应商，属半导体设备产业链公开的供应关系。
- [Kyocera-精密陶瓷部件](Kyocera-精密陶瓷部件.md)：行业资料显示，Kyocera是全球主要半导体精密陶瓷零部件供应商，产品用于刻蚀设备、CVD设备等，泛林等刻蚀设备厂需采购陶瓷绝缘件、聚焦环等精密陶瓷部件；Kyocera是泛林等设备厂的陶瓷部件供应商（产业配套推断）。
- [MKS-射频电源](MKS-射频电源.md)：半导体设备零部件行业报告（2022年）指出，射频电源是刻蚀设备的核心部件，MKS Instruments是全球主要射频电源供应商，向泛林等刻蚀设备厂供应RF Power Generator等关键部件（产业配套推断，行业研报印证）。
- [SHINKO-静电卡盘](SHINKO-静电卡盘.md)：行业分析报告（CSDN博客援引市场研报，2024年）明确，全球静电卡盘（ESC）市场中Applied Materials占43.85%、泛林占31.58%（自产）、SHINKO占10.21%；SHINKO是泛林等刻蚀设备厂的重要静电卡盘外部供应商（市场研报数据印证）。

### 下游产品

- [SK海力士-HBM2E](SK海力士-HBM2E.md)：iNEWS及多家行业媒体报道，泛林（Lam Research）独家向SK海力士等HBM厂商供应TSV刻蚀设备（Syndion系列），用于HBM堆叠的高深宽比刻蚀，是SK海力士HBM2E生产的关键设备供应商。
- [SK海力士-HBM3e](SK海力士-HBM3e.md)：泛林（Lam Research）独家供应HBM量产TSV深硅刻蚀设备（Syndion），Digitimes（2026年6月）报道SK海力士因HBM繁荣正评估泛林等一线设备商的涨价请求，确认泛林是HBM3e关键设备供应商。
- [三星-HBM3e](三星-HBM3e.md)：HBM制造需要TSV深孔刻蚀工序，泛林（Lam Research）是全球刻蚀设备龙头（市占率约46%），东吴证券产业链研报指出泛林为SK海力士、三星HBM等存储厂的刻蚀设备主力供应商（产业配套推断，来源：东吴证券《海外半导体设备巨头巡礼》2024）。
- [三星-NAND_Flash_晶圆](三星-NAND_Flash_晶圆.md)：泛林（Lam Research）已向三星电子提供多台钼沉积设备用于下一代NAND工艺，并与东京电子共同开发低温刻蚀技术，泛林是三星NAND晶圆刻蚀/沉积设备的主力供应商（来源：新浪财经《三星计划到2030年实现1000层NAND》，2025年2月）。
- [中芯国际-晶圆代工](中芯国际-晶圆代工.md)：中芯国际严重依赖泛林（Lam Research）刻蚀设备，其设备采购清单包含泛林干刻（RIE/ALE）等设备，2019年至今采购泛林等设备金额巨大，泛林是中芯国际刻蚀工序的主力设备供应商之一（来源：中芯国际供应链分析文章，智通财经，2020年）。
- [台积电-晶圆代工](台积电-晶圆代工.md)：泛林集团（Lam Research）是全球刻蚀设备龙头（2021年市占率约46%），台积电等晶圆代工厂是其核心客户，泛林收入结构中代工客户占比约40%（来源：搜狐泛林集团品牌故事、全球五大半导体设备公司分析）。
- [德州仪器-电源管理芯片VRM](德州仪器-电源管理芯片VRM.md)：泛林（Lam Research）是全球刻蚀机市占率第一（46%），德州仪器IDM厂需采购泛林刻蚀设备用于芯片制造；这是半导体IDM的标准设备采购关系（产业链常识，据中微公司研报对标分析、泛林品牌研报）。
- [美光-HBM3e](美光-HBM3e.md)：泛林（Lam Research）是全球最大刻蚀设备供应商，HBM生产中堆叠工艺需要大量刻蚀步骤，泛林设备是HBM制造产线必配（HBM产业链专题报告，东方财富研报）。
