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年销售额占比: IGBT及SiC模块约占英飞凌总营收40%-45%（估算）
单价: IGBT模块约50-500美元/颗，SiC MOSFET约20-200美元/颗
segment: 功率半导体
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# 产品介绍
英飞凌的IGBT及SiC模块产品线涵盖IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和功率模块。在AI数据中心领域，英飞凌的SiC MOSFET和IGBT主要用于服务器电源（PSU）的PFC（功率因数校正）和DC-DC转换环节，是实现钛金级（>96%）电源效率的关键器件。

# 关键规格
- **IGBT模块**：耐压600V-1700V，电流50A-3600A，用于工业变频和电动车；
- **CoolSiC MOSFET**：耐压650V-2000V，导通电阻低至1mΩ·cm²，用于数据中心电源和电动车；
- **CoolGaN**：氮化镓功率器件，开关频率>1MHz，用于高密度电源；
- **电源效率**：SiC方案可将服务器电源效率提升至钛金级（>96%）。

# AI产业链角色
IGBT及SiC模块处于AI算力产业链的**功率半导体层**，是AI服务器电源、储能逆变器和工业电机的核心功率控制器件。英飞凌的功率半导体向上采购硅片、SiC衬底等原材料（IDM模式下部分自产），向下供应给台达、麦格米特、科华数据等电源模块厂商。

# 其他说明
- 全球功率半导体市占率第一（约20%）；
- IGBT模块全球市占率第一；
- SiC MOSFET在数据中心电源领域渗透率快速提升；
- 特斯拉、比亚迪的核心功率模块供应商；
- SiC衬底供应紧张是产能扩张的主要瓶颈。

### 上游产品

- [SUMCO-硅晶圆](SUMCO-硅晶圆.md)：未确认：SUMCO持有IGBT专用硅晶圆相关专利（US20080102287A1），具备IGBT晶圆供应能力；英飞凌IGBT已知与Siltronic有合作（脱胎于Wacker合资），与SUMCO的直接采购关系暂无公开证据，但SUMCO作为全球第二大硅晶圆商不可排除，保守保留。
- [天岳先进-SiC衬底](天岳先进-SiC衬底.md)：英飞凌与天岳先进签订长期SiC衬底及晶锭供应协议，天岳先进供应150mm及未来200mm直径SiC衬底，供应量将占英飞凌长期需求的双位数百分比（来源：ab-sm.com，dramx.com）。

### 下游产品

- [中恒电气-HVDC电源](中恒电气-HVDC电源.md)：高压直流电源采用 SiC/GaN 功率器件，英飞凌为全球功率半导体与英伟达 800V HVDC 联盟成员（芯智讯）
- [伊顿-800V_DC供电架构](伊顿-800V_DC供电架构.md)：800V HVDC 采用 SiC/GaN 功率器件，英飞凌为英伟达 800V HVDC 联盟功率芯片成员（芯智讯）
- [台达-电源Power_Shelf](台达-电源Power_Shelf.md)：台达服务器及工业电源产品广泛采用IGBT/SiC功率器件，英飞凌是全球功率半导体龙头供应商，为台达Power Shelf等高效电源模块提供功率器件（产业配套推断，未见点名供应商的年报披露）。
- [特斯拉-FSD自动驾驶](特斯拉-FSD自动驾驶.md)：多家行业媒体明确指出，特斯拉Model 3的SiC功率半导体供应商包括英飞凌与意法半导体，英飞凌是特斯拉功率半导体（IGBT/SiC模块）核心供应商之一（知乎专题/行业媒体，2023年）。
- [科华数据-数据中心电源](科华数据-数据中心电源.md)：英飞凌CoolSiC系列IGBT/SiC模块是数据中心UPS功率半导体主流选型，英飞凌已与科士达深化合作供应SiC器件以提升UPS效率；科华数据同为国内UPS龙头，采用类似功率半导体供应链路径（产业配套推断，科士达合作有媒体报道，科华数据与英飞凌直接合同未查到公开披露）。
- [维谛技术-数据中心供电系统](维谛技术-数据中心供电系统.md)：800V HVDC 采用 SiC/GaN 功率器件，英飞凌为英伟达 800V HVDC 供应商联盟功率芯片成员（芯智讯/腾讯新闻）
