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股票代码: 000660.KS
上市状态: 上市
国家: 韩国
市值: 约150万亿韩元（2025年）
年营收: 约66万亿韩元（2024财年，约500亿美元）
AI业务占比: HBM+DRAM合计约占总营收70%，其中DRAM约35%
毛利率: 2026年Q1营业利润率约72%（创历史新高）
净利润: 约47.2万亿韩元营业利润（2025年全年，创历史纪录）
官网: www.skhynix.com
X主页: 'https://x.com/SKhynix'
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# 简介
SK海力士株式会社（SK Hynix Inc.）成立于1983年，总部位于韩国利川，是SK集团旗下核心半导体企业。公司于韩国证券交易所上市（000660.KS），员工约34,549人。SK海力士与三星电子并列为韩国半导体双雄，是全球DRAM、NAND Flash和HBM三大存储领域的龙头之一。2020年以约90亿美元收购英特尔NAND业务，成立Solidigm子公司。

# 业务结构
- **DRAM**：约占总营收35%，包括DDR4/DDR5/LPDDR5，2025Q1首超三星登顶全球DRAM市场（市占率36%）；
- **HBM**：约占总营收35%，HBM3市占率>90%、HBM3E约70%，全球HBM绝对领导者；
- **NAND Flash**：约占总营收30%，包括3D NAND和企业级SSD，238层4D NAND技术领先。

# 商业模式
IDM垂直整合模式：从芯片设计、晶圆制造、先进封装到终端销售全覆盖。DRAM业务采用最先进的1βnm工艺，直接向英伟达、AMD等GPU厂商供应HBM，同时向服务器OEM和内存模组厂供应DDR5。

# 护城河
1. **HBM技术垄断**：HBM3/HBM3E代际市占率70%-90%，深度绑定英伟达；
2. **TSV封装先发优势**：自2009年起持续投入TSV技术，构建完整专利壁垒；
3. **DRAM制程追赶**：1βnm DRAM快速量产，2025年Q1终结三星33年霸主地位；
4. **客户锁定**：英伟达H200/B200核心HBM供应商，AI芯片龙头深度绑定。

# 竞争格局
全球DRAM市场三强：SK海力士（2025Q1-Q3持续第一，Q1市占率36%）、三星（Q4反超至36.6%）、美光（~23%）。SK海力士在HBM领域绝对领先，但在传统DRAM容量上三星仍有规模优势。HBM4（2026年）将是下一轮竞争焦点。

# 关键人物
- 郭鲁正：CEO

# 观点
SK海力士是AI存储时代的最大受益者。HBM高毛利产品推动营业利润率在2026年Q1达72%创历史新高。2025年全年营业利润47.2万亿韩元创纪录。公司计划投资逾20万亿韩元建设清州新厂，目标在HBM4世代维持"压倒性市场份额"。但需关注美国关税政策和地缘政治风险对全球供应链的影响。
