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股票代码: 688234.SH
上市状态: 上市
国家: 中国
市值: 约40亿美元（估算，2026年6月）
年营收: 约3亿美元（估算，2025财年）
AI业务占比: 约30–40%（估算，导电型SiC衬底用于AI服务器电源）
毛利率: 约20–25%（估算，2025财年）
净利润: 约0.5亿美元（估算，2025财年）
官网: www.sicc.com.cn
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# 简介

> 如果把SiC功率器件比作AI服务器电源的「超级心脏」，那天岳先进生产的SiC衬底就是这颗心脏的「基因载体」——它是整个SiC产业链的最上游材料，决定了SiC芯片的导电性能、晶体质量和成本结构。天岳先进是全球少数能量产6英寸导电型SiC衬底的企业之一，也是国内SiC衬底国产替代的核心标的。

# 业务结构

| 业务线 | 营收占比 | 说明 |
| --- | --- | --- |
| 导电型SiC衬底 | 约60–70% | 用于功率器件（MOSFET、SBD、IGBT），AI服务器电源核心材料 |
| 半绝缘型SiC衬底 | 约20–30% | 用于射频器件（5G基站、雷达） |
| 晶棒/其他 | 约5–10% | 自产晶棒及边角料销售 |

> 数据来源：公司年报、券商研报。营收占比为估算值。

# 产品

[天岳先进-SiC衬底](天岳先进-SiC衬底.md)

# 商业模式

- **IDM上游材料商**：天岳先进专注于SiC衬底材料，不涉足芯片设计和制造。其客户包括英飞凌、博世、安森美等国际功率器件龙头，以及国内斯达半导、士兰微等模块厂商。
- **长单锁量**：SiC衬底扩产周期长（2–3年），下游芯片厂商通常通过长单（3–5年）锁定产能，天岳先进已与多家头部客户签署长期供货协议。
- **尺寸升级驱动价值**：从4英寸到6英寸再到8英寸，每升级一代尺寸，单片衬底可切割的芯片数量翻倍，单位成本显著下降。8英寸衬底是当前行业竞争焦点。

# 护城河

- **长晶技术壁垒**：SiC晶体生长需要在2,300℃以上的高温下进行，且生长速度极慢（约0.1–0.5 mm/h），缺陷控制（微管密度、位错密度）是核心know-how。天岳先进是国内少数掌握PVT（物理气相传输）法长晶技术的企业。
- **产能规模领先**：天岳先进6英寸导电型SiC衬底年产能约20–30万片（估算），国内第一、全球前三。
- **客户认证壁垒**：SiC衬底进入功率器件供应链需通过2–3年的严格认证，替换成本高，客户粘性强。

> [!warning] 护城河风险
> - **技术差距**：与国际龙头Wolfspeed相比，天岳先进在8英寸衬底、缺陷密度控制上仍有1–2年差距。
> - **价格战风险**：随着国内SiC衬底产能快速扩张（三安光电、露笑科技等入局），导电型SiC衬底价格已从2022年的高点回落约30–40%。
> - **设备依赖进口**：长晶炉等核心设备仍依赖日本、欧洲供应商，存在供应链安全风险。

# 竞争格局

| 厂商 | 国家 | 技术地位 | 产能规模 |
| --- | --- | --- | --- |
| Wolfspeed | 美国 | 全球龙头，8英寸量产领先 | 全球最大 |
| Coherent（原II-VI） | 美国 | 全球第二，6/8英寸并行 | 全球第二 |
| 天岳先进 | 中国 | 国内龙头，6英寸量产 | 国内第一，全球前三 |
| 天科合达 | 中国 | 国内第二，6英寸量产 | 国内第二 |
| 三安光电 | 中国 | 垂直整合（衬底+外延+芯片） | 快速扩产中 |
| 露笑科技 | 中国 | 新进入者，6英寸量产中 | 较小 |

> 数据来源：公司公告、券商研报、Yole Développement行业报告。

# 关键人物

- **宗艳民**：创始人、董事长，山东大学教授出身，国内SiC材料领域资深专家。

# 观点

- SiC衬底是AI算力基础设施的「隐性瓶颈」：随着AI服务器电源从IGBT向SiC MOSFET升级，导电型SiC衬底需求将快速增长。单台12kW PSU约需2–4颗SiC MOSFET芯片，对应约0.5–1片6英寸SiC衬底。
- 国产替代紧迫性：在中美科技脱钩背景下，英飞凌、Wolfspeed等海外龙头对中国客户的供货存在不确定性，天岳先进作为国内SiC衬底龙头，供应链安全价值重大。
- 8英寸是胜负手：谁能率先实现8英寸衬底的低成本量产，谁就能主导下一代SiC功率器件市场。天岳先进的8英寸衬底正在客户验证中，预计2026–2027年有望小批量出货。
