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年销售额占比: 45%
单价: 数百万至数千万美元不等
segment: 半导体设备
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# 产品介绍

> 如果把晶圆代工比作「建芯片的高楼」，那么沉积设备就是「砌墙抹灰」——在硅晶圆上逐层铺设绝缘膜、金属膜、半导体膜；刻蚀设备则是「开窗打洞」——用等离子体把不需要的材料精确去除，形成电路图案。应用材料是全球最大的沉积设备供应商（PVD 垄断、CVD 前三）和刻蚀设备的主要供应商之一，其产品贯穿晶圆制造最核心的「沉积—光刻—刻蚀」循环。

# 关键规格

| 指标 | 参数 |
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| 核心产品线 | PVD / CVD / ALD / EPI（外延）/ 刻蚀（CCP + ICP） |
| PVD 全球市占率 | 约 85%（绝对垄断） |
| CVD 全球市占率 | 约 30%（前三，与泛林、TEL 竞争） |
| 刻蚀全球市占率 | 约 20–25%（前三，与泛林、TEL 竞争） |
| 支持制程节点 | 3nm 及更先进节点（GAA / HBM / 先进封装） |
| 单台价格区间 | 数百万美元 – 数千万美元 |
| 主要客户 | 台积电、三星、英特尔、美光、SK 海力士 |

# AI产业链角色

> 应用材料的沉积与刻蚀设备是 AI 算力芯片制造的**「工艺基石」**——没有沉积和刻蚀，光刻刻画出的图案无法转化为可用的电路结构。

- **不可替代性**：先进制程（3nm / GAA）和 HBM 的制造需要数十甚至上百道沉积和刻蚀工序。3nm FinFET 工艺约需 100 道薄膜沉积工序，刻蚀步骤也超过 100 次。应用材料的设备是这些工序的核心工具。
- **GAA 与 HBM 的双重驱动**：
  - GAA（全环栅晶体管）需要更复杂的金属栅极沉积和原子级精度的刻蚀，带动 ALD 和高选择性刻蚀设备需求。
  - HBM（高带宽内存）需要高深宽比 TSV（硅通孔）刻蚀和先进金属沉积，应用材料是 HBM 设备领域的 #1 供应商。
- **需求放大器**：每一代制程升级，沉积和刻蚀的工序数都显著增加。从 20nm 到 3nm，刻蚀步骤从约 50 次增加到 100+ 次；3D NAND 从 64 层到 200+ 层，高深宽比刻蚀需求呈指数增长。
- **价值集中处**：在晶圆厂设备 capex 中，薄膜沉积设备占比约 20–25%，刻蚀设备占比约 20–22%，两者合计仅次于光刻设备。

# 其他说明

- **单价**：不同设备类型价格差异极大。PVD 设备通常数百万美元，高端刻蚀设备可达 1,000–2,000 万美元以上，ALD 设备也在千万美元级别。
- **出货量**：设备按台数统计意义不大，因产品线极广。FY2025 Semiconductor Systems 收入 208 亿美元，其中沉积+刻蚀约 155 亿美元。
- **年销售额占比**：45% 为沉积与刻蚀设备合计占应用材料集团总营收比例（FY2025）。
- **先进封装**：应用材料正在大力拓展先进封装业务，目标未来几年将先进封装业务收入翻倍至 30 亿美元，沉积和刻蚀设备是核心。
- **竞争动态**：PVD 领域几乎无竞争对手；CVD 和刻蚀领域与泛林、TEL 激烈竞争。GAA 和 HBM 是当下竞争焦点。

# 产品细分清单

应用材料沉积与刻蚀设备按工艺类型划分：

| 分类 | 工艺类型 | 主要产品 | 全球市占（估算） | 说明 |
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| **沉积设备** | PVD（物理气相沉积） | Endura / Centura 系列 | 约 85% | 金属薄膜沉积，绝对垄断 |
| **沉积设备** | CVD（化学气相沉积） | Producer / Centris 系列 | 约 30% | 介质膜 / 金属膜，与泛林/TEL 竞争 |
| **沉积设备** | ALD（原子层沉积） | Olympia 系列 | 约 15–20% | 原子级精度薄膜，TEL/ASMI 领先 |
| **沉积设备** | EPI（外延生长） | Centura RP / Epi 系列 | 约 40% | 硅/锗硅外延，AI 芯片关键工艺 |
| **刻蚀设备** | CCP（电容耦合等离子体刻蚀） | Producer Etch 系列 | 约 20% | 介质刻蚀，泛林领先 |
| **刻蚀设备** | ICP（电感耦合等离子体刻蚀） | DPS / AdvantEdge 系列 | 约 25% | 硅/金属刻蚀，泛林领先 |

### 上游产品

- [Atlas_Copco-真空泵](Atlas_Copco-真空泵.md)：阿特拉斯·科普柯（通过子品牌Edwards）为半导体制造设备提供真空泵配套，Edwards为全球半导体行业主流真空泵供应商；应用材料刻蚀/沉积设备需要高真空环境，Atlas Copco/Edwards是其真空泵组件供应商（据Atlas Copco官网半导体制造页面）。
- [Edwards-真空泵](Edwards-真空泵.md)：Edwards（阿特拉斯·科普柯旗下）是半导体设备真空泵龙头，应用材料刻蚀/沉积设备广泛配套Edwards干式/液环真空泵，两者均为全球半导体制造核心设备供应链成员（据Edwards官网及半导体零部件行业深度报告）。
- [Kyocera-精密陶瓷部件](Kyocera-精密陶瓷部件.md)：京瓷是全球精密陶瓷部件领先厂商，为半导体设备提供陶瓷衬套、喷头、聚焦环等关键陶瓷零部件；应用材料刻蚀和沉积设备使用大量精密陶瓷部件，京瓷为主要供应商（据京瓷官网半导体产品页面，产业配套推断）。
- [MKS-射频电源](MKS-射频电源.md)：MKS Instruments是全球射频电源市场第一（市占率48.8%），半导体刻蚀/沉积设备必须配备射频电源，应用材料是MKS的核心大客户，MKS射频电源广泛集成于应用材料等离子刻蚀和CVD/ALD设备（据未来智库MKS研报2023）。
- [SHINKO-静电卡盘](SHINKO-静电卡盘.md)：SHINKO是全球静电卡盘（ESC）第一大厂商，市占率21.7%；应用材料刻蚀和沉积设备中静电卡盘是晶圆固定的核心部件，SHINKO是应用材料设备的主要ESC供应商（据脉脉、中国粉体网ESC行业分析）。
- [江丰电子-溅射靶材](江丰电子-溅射靶材.md)：江丰电子是国内溅射靶材龙头，已进入台积电、中芯国际等顶级晶圆厂供应链；应用材料PVD设备使用溅射靶材为核心耗材，江丰电子是其靶材供应商之一（据江丰电子2023年年报及券商深度报告2024）。

### 下游产品

- [ADI-电源管理芯片](ADI-电源管理芯片.md)：Applied Materials获ADI颁发供应商卓越奖，ADI在美国晶圆厂使用Applied Materials的沉积、刻蚀、离子注入、CMP等全线设备，并签署Total Parts Management服务协议（Applied Materials官网新闻稿）。
- [SK海力士-DDR5内存](SK海力士-DDR5内存.md)：Applied Materials官方公告及DataCenterDynamics报道（2024年），应用材料与SK海力士签署长期研发合作协议，在5亿美元EPIC中心共同开发下一代DRAM/HBM的原子级沉积与刻蚀工艺，应用材料是SK海力士DDR5生产的核心设备供应商。
- [SK海力士-HBM2E](SK海力士-HBM2E.md)：Applied Materials与SK海力士签署联合研发协议（2024年），专注HBM沉积与刻蚀工艺创新，应用材料是SK海力士HBM2E量产的沉积设备核心供应商（官方公告）。
- [SK海力士-HBM3e](SK海力士-HBM3e.md)：Applied Materials与SK海力士联合研发协议（2024年EPIC Center）专注HBM沉积与刻蚀工艺，Lam Research主导TSV刻蚀，应用材料负责沉积及部分刻蚀工序，是SK海力士HBM3e量产的重要设备供应商（官方公告）。
- [SK海力士-NAND_Flash](SK海力士-NAND_Flash.md)：应用材料是3D NAND Flash高层数刻蚀与CVD沉积设备的核心供应商，SK海力士NAND Flash量产依赖应用材料设备（产业配套推断；Applied Materials年报将NAND Flash列为主要市场）。
- [三星-DDR5内存](三星-DDR5内存.md)：应用材料年报及行业媒体报道，应用材料沉积与刻蚀设备广泛用于三星DDR5先进制程，三星是应用材料最大存储客户之一（应用材料年报确认；产业配套推断）。
- [三星-HBM3e](三星-HBM3e.md)：应用材料（Applied Materials）在HBM混合键合及高密度互连工序中提供薄膜沉积与刻蚀设备，行业研报指出AMAT是三星、SK海力士等HBM厂商的核心沉积/刻蚀设备供应商（来源：国内HBM产业链专题研报，2024年11月）。
- [三星-NAND_Flash_晶圆](三星-NAND_Flash_晶圆.md)：NAND Flash 3D堆叠制造需要大量薄膜沉积（CVD/ALD）和刻蚀工序，应用材料是三星NAND晶圆制造的核心沉积刻蚀设备供应商，行业研报称三星使用AMAT设备进行钼沉积等新一代NAND工艺（来源：《DUV时代刻蚀和沉积设备重要性凸显》行业研报，2024）。
- [三星-晶圆代工](三星-晶圆代工.md)：应用材料（AMAT）是全球最大半导体设备公司，三星晶圆代工使用AMAT沉积/刻蚀设备属产业标配，AMAT也是三星进行HBM及逻辑先进制程的核心设备供应商（来源：半导体行业设备供应链研报，2024）。
- [中芯国际-晶圆代工](中芯国际-晶圆代工.md)：中芯国际向应用材料采购订单金额约5.43亿美元（2019年至今累计超10亿美元），采购产品含CVD/ALD薄膜沉积及刻蚀设备，应用材料是中芯国际沉积设备最重要供应商之一（来源：智通财经《中芯国际大举囤货》，2020年）。
- [台积电-先进封装](台积电-先进封装.md)：应用材料（AMAT）是全球最大半导体设备商，提供PVD、CVD、刻蚀等设备，台积电CoWoS先进封装中RDL、Bumping等工艺需要应用材料的沉积与刻蚀设备（产业配套推断，来源：OFweek先进封装材料报道）。
- [台积电-晶圆代工](台积电-晶圆代工.md)：应用材料是全球最大半导体设备商，台积电是其最重要客户，应用材料提供CVD、PVD、刻蚀等前道制造设备，广泛应用于台积电各先进制程节点（产业配套推断，来源：OFweek刻蚀设备行业报道）。
- [德州仪器-电源管理芯片VRM](德州仪器-电源管理芯片VRM.md)：德州仪器是IDM厂商，使用应用材料的CVD/PVD/刻蚀设备进行芯片制造；应用材料是全球最大半导体设备供应商，为德州仪器晶圆厂提供关键设备（产业链常识，据应用材料官网、维基百科TI词条）。
- [格芯-晶圆代工](格芯-晶圆代工.md)：应用材料是全球CVD/PVD设备领域领头羊（2016年市占24%），格芯在全球晶圆厂使用大量沉积与刻蚀设备；格芯官方技术资料和行业研报确认其设备供应商包含应用材料，属晶圆代工行业通行供应关系（产业配套推断）。
- [美光-DDR5内存](美光-DDR5内存.md)：应用材料是全球最大半导体设备公司，提供CVD/PVD沉积及刻蚀设备，为美光等DRAM厂商制造的核心设备供应商；几乎每家晶圆厂都无法在没有应用材料设备下运行（ASML成最大半导体设备商报道，应用材料供应链为产业常识）。
- [美光-HBM3e](美光-HBM3e.md)：应用材料是全球最大半导体设备商，提供HBM制造所需的CVD/ALD沉积及刻蚀设备；HBM产业链专题报告明确指出应用材料是HBM上游设备供应商之一（东方财富HBM专题报告）。
- [联电-晶圆代工](联电-晶圆代工.md)：应用材料是全球最大半导体设备商，联电等晶圆厂普遍采购应用材料的CVD/ALD沉积和刻蚀设备；应用材料供货台湾及全球所有主要晶圆代工厂是行业常识（ASML成最大半导体设备商报道）。
- [长鑫存储-DDR内存](长鑫存储-DDR内存.md)：长鑫存储在DRAM制造中与Applied Materials（应用材料）等多家设备商合作进行研发，应用材料是全球领先的薄膜沉积和刻蚀设备供应商；据MIT科技评论及行业报道，应用材料是长鑫存储的重要国际设备供应商之一。
