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年销售额占比: 约80–90%（FY2025，IGBT及SiC功率模块合计占集团总营收比例）
预计出货量: '约800–1,000万只（估算，含IGBT模块700万只+SiC模块100–200万只）'
单价: 约5–50美元/只（估算，工业级IGBT约5–15美元，车规级IGBT约15–30美元，SiC模块约20–50美元）
segment: 功率半导体
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# 产品介绍

> 如果把电力电子系统比作人体的血液循环系统，那IGBT/SiC功率模块就是这个系统中的"心脏瓣膜"——它控制着电流的通断和方向，以每秒数万次的频率开关，将高压直流电转换为GPU和CPU能够使用的低压直流电。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是硅基时代的王者，而SiC（碳化硅）则是新一代的"超级心脏"。

斯达半导的功率模块产品覆盖**IGBT模块、SiC MOSFET模块、MOSFET模块、FRD模块、IPM智能功率模块**等，电压范围从600V到1,700V，电流范围从10A到600A+，是国内产品谱系最全的功率模块厂商。

在AI产业链中，斯达半导的功率模块主要用于：
- **AI服务器电源（PSU/Power Shelf）**：SiC MOSFET模块用于5.5kW–12kW+高功率密度PSU，替代传统硅基IGBT，实现≥97.5%的转换效率
- **数据中心UPS**：IGBT模块用于不间断电源的AC-DC-AC转换
- **新能源汽车**：IGBT/SiC模块用于电驱系统，与AI数据中心的光伏/储能供电系统间接相关

# 关键规格

| 指标 | IGBT模块（工业级） | IGBT模块（车规级） | SiC MOSFET模块 |
| --- | --- | --- | --- |
| 电压等级 | 600V / 1,200V / 1,700V | 600V / 1,200V | 650V / 1,200V / 1,700V |
| 电流等级 | 10A–600A | 50A–600A | 20A–400A |
| 开关频率 | ≤20 kHz | ≤20 kHz | ≥50 kHz（可达100 kHz+） |
| 导通电阻 | 1.5–5.0 mΩ | 1.2–3.5 mΩ | 10–40 mΩ（芯片级） |
| 工作温度 | -40℃ ~ +150℃ | -40℃ ~ +175℃ | -55℃ ~ +175℃ |
| 封装形式 | EconoDUAL/标准模块 | 车规级标准模块 | 标准模块/定制封装 |
| 典型应用 | 工业变频器、光伏逆变器 | 新能源汽车主驱 | AI服务器电源、充电桩 |

> 数据来源：斯达半导官网、产品数据手册、券商研报。具体规格以官方数据手册为准。

# AI产业链角色

> IGBT/SiC功率模块是AI算力基础设施电源系统的**"心脏开关"**——没有它们，来自电网的高压交流电就无法转换为GPU所需的低压直流电，整个AI服务器将只是一堆无法通电的硅片。

- **AI服务器电源的核心器件**：台达Power Shelf内部每个PSU模块都需要4–8个功率半导体器件（IGBT或SiC MOSFET）来完成AC-DC转换。随着PSU功率从5.5kW提升至12kW，传统硅基IGBT因开关损耗大、效率低而被SiC MOSFET替代。斯达半导的SiC模块是国产替代的核心标的。
- **效率提升的关键**：SiC MOSFET的开关损耗仅为IGBT的1/3–1/5，导通损耗也显著降低。采用SiC的PSU转换效率可从96%提升至98%以上，单柜120kW功耗下可节省2.4kW的电能损耗，显著降低数据中心PUE。
- **功率密度提升的基石**：SiC器件可在更高频率和更高温度下工作，使PSU的磁性元件（变压器、电感）体积减小30–50%，是实现12kW/24kW超高功率密度PSU的技术基础。
- **国产替代紧迫性**：AI服务器电源用SiC模块长期被英飞凌（市占率>50%）、Wolfspeed、ROHM等垄断。在中美科技脱钩背景下，国产SiC模块的供应链安全意义重大。斯达半导是国内技术最接近海外龙头、量产进度最快的厂商。
- **车规与工控的协同**：斯达半导在新能源汽车领域积累的车规级SiC模块技术和产能，可直接迁移到AI服务器电源领域，形成技术协同。

# 其他说明

- **年销售额占比**：约80–90%为**估算**值。斯达半导营收中IGBT模块约占70–75%，SiC模块约占10–15%，两者合计约80–90%。
- **出货量**：2026年预计约800–1,000万只（模块口径）为**估算**。2025年实际出货量约600–700万只，随着SiC模块放量和IGBT国产替代加速，2026年有望继续增长。
- **单价口径**：5–50美元/只为**估算**。工业级IGBT模块约5–15美元；车规级IGBT模块约15–30美元；SiC MOSFET模块约20–50美元；大电流定制模块单价更高。
- **技术约束**：
  - 芯片设计：SiC MOSFET芯片的设计和制造壁垒极高，涉及外延生长、离子注入、栅氧工艺等关键know-how。斯达半导自研芯片仍在验证中，目前主要采购Wolfspeed、意法半导体等的芯片进行封装。
  - 封装技术：功率模块的封装涉及DBC陶瓷基板、焊料、键合线、灌封胶等多种材料，高温高可靠性封装是核心壁垒。
  - 可靠性验证：车规级和数据中心级功率模块需通过HTRB、HAST、温度循环等严苛可靠性测试，认证周期长。
- **竞争动态**：
  - 海外：英飞凌（Infineon，德国）、Wolfspeed（美国）、ROHM（日本）、意法半导体（STMicroelectronics，瑞士/意大利）等占据高端市场。
  - 国内：斯达半导、士兰微（600460.SS）、时代电气（688187.SS）、比亚迪半导体（未上市）、宏微科技（688711.SS）等。斯达半导在模块封装和SiC领域领先。
- **产能布局**：国内主力产线在浙江嘉兴（总部），正在建设中的SiC芯片产线和模块封装产线将进一步扩大产能。

# 产品细分清单

| 分类 | 电压/电流等级 | 主要应用 | 单价（美元，估算） | 说明 |
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| 工业级IGBT模块 | 600V–1,700V / 10–600A | 工业变频器、光伏逆变器、UPS | 5–15 | 出货量最大，价格竞争激烈 |
| 车规级IGBT模块 | 600V–1,200V / 50–600A | 新能源汽车主驱、OBC | 15–30 | 认证壁垒高，毛利率较高 |
| SiC MOSFET模块 | 650V–1,700V / 20–400A | AI服务器电源、充电桩、光伏 | 20–50 | 增速最快，国产替代核心 |
| IPM智能功率模块 | 600V / 10–50A | 变频空调、家电 | 3–8 | 集成驱动+保护功能 |

> 注：以上分类和单价为估算值（来源：公司年报、券商研报、产业链调研），具体以官方披露为准。

### 上游产品

- [天岳先进-SiC衬底](天岳先进-SiC衬底.md)：天岳先进是国内SiC导电型衬底龙头供应商，斯达半导SiC功率模块采用国产SiC衬底；构成国产碳化硅产业链上游衬底（天岳先进）→中游模块封装（斯达半导）的配套关系。来源：OFweek及行业碳化硅产业链深度研报
- [罗杰斯-DBC基板](罗杰斯-DBC基板.md)：中信建投深度研报（2020年）披露，斯达半导前五大供应商中罗杰斯（DBC基板）排名第四；罗杰斯curamik® DBC/AMB陶瓷基板是IGBT模块的核心绝缘导热材料，属业内公认供应关系。

### 下游产品

- [中恒电气-HVDC电源](中恒电气-HVDC电源.md)：HVDC 电源采用 IGBT/SiC 功率器件，斯达半导为国产 IGBT/SiC 功率模块龙头（国产电源—国产功率器件配套）
- [台达-电源Power_Shelf](台达-电源Power_Shelf.md)：斯达半导是国内IGBT和SiC功率模块龙头，台达电源模块需采用IGBT/SiC等功率器件，斯达半导是国内电源模块厂商的重要IGBT供应商（产业配套推断，来源：斯达半导官网产品应用案例）。
- [泰嘉股份-电源模块](泰嘉股份-电源模块.md)：东方财富财富号报道（2026年4月）明确，泰嘉股份是华为昇腾AI服务器的独家/核心电源供应商，其电源模块采用SiC+800V HVDC技术；斯达半导是国内IGBT及SiC功率模块领军企业，是泰嘉股份等电源模块厂商的上游功率器件供应商（产业配套推断，研报引证）。
- [科华数据-数据中心电源](科华数据-数据中心电源.md)：未确认：科华数据是国内UPS/数据中心电源龙头（2024年市占率第一），其UPS产品采用IGBT功率器件；斯达半导是国内IGBT模块龙头，已明确开拓AI数据中心等应用领域，研发面向高频工况的SiC MOSFET；国产替代趋势下，科华数据采购国产IGBT模块存在较高可能性，但无公开供应商披露。保守保留，等待更多证据。
- [麦格米特-电源模块](麦格米特-电源模块.md)：麦格米特是大陆唯一与英伟达进行电源合作的企业，其AI服务器电源模块采用高效率功率变换技术，IGBT/SiC是电源模块的核心功率器件；斯达半导是国内IGBT及SiC模块龙头，麦格米特等电源厂商是斯达半导的下游客户（产业配套推断）。
