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年销售额占比: 约10%（估算，FY2025）
预计出货量: NAND晶圆约468万片（Omdia预计，减产保价策略）
单价: '约4,000–6,000美元/片（300mm晶圆制造完成价值，估算）'
segment: NAND Flash / 存储
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# 产品介绍

> NAND Flash 晶圆是固态硬盘（SSD）、嵌入式存储、手机存储的「原材料」——就像石油之于汽油。三星通过垂直堆叠技术（V-NAND），在一片300mm硅晶圆上堆起数百层存储单元，把存储密度推到极致。一片286层的V-NAND晶圆，经过切割、封装、测试后，最终变成数据中心里的一块块企业级SSD，或消费者手中的手机存储芯片。

三星是全球 NAND Flash 市场无可争议的龙头，2025年市占率约29–33%（不同机构口径），稳居第一。其 V-NAND 技术路线采用 CTF（电荷撷取闪存）架构，2013年率先量产3D NAND，此后在层数竞赛中持续领先。

# 关键规格

| 指标 | 参数 |
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| 当前量产世代 | 第9代 V-NAND（V9），286层 |
| 技术架构 | CTF（Charge Trap Flash，电荷撷取闪存） |
| 堆叠方式 | 双层键合（2×143 decks） |
| 数据格式 | TLC（3b/cell）、QLC（4b/cell） |
| I/O 速率 | 最高 3.2 Gbps/pin（V9） |
| 下一世代 | 第10代 V-NAND（V10），400+层，BV NAND 键合技术 |
| 长期目标 | 2030年突破 1,000 层 |
| 主要晶圆厂 | 韩国平泽（Pyeongtaek）、中国西安（Xi'an） |
| 西安厂月产能 | 约20万片300mm晶圆，占三星NAND总产能约40% |

> 数据来源：三星官方技术路线图、IEEE ISSCC 2025论文、TrendForce/CFM行业数据、韩国经济日报。

# AI产业链角色

> NAND Flash 晶圆是 AI 数据中心存储扩容的「粮食」——没有它，海量训练数据、推理日志、模型检查点都将无处可存。

- **AI 推理的存储底座**：AI 从训练向推理转移，推理集群需要大容量、低成本的存储来缓存海量多模态数据（图像、视频、文本）。QLC NAND 以 4 bits/cell 的高密度和持续下降的成本，正成为 AI 数据湖的主力存储介质。
- **企业级 SSD 的上游核心**：三星 128TB BM1743 等超高容量企业级 SSD，是 AI 数据中心替代机械硬盘的关键。NAND 晶圆的层数、密度和成本，直接决定了 SSD 的容量上限和价格竞争力。
- **周期风向标**：NAND Flash 是存储行业中最具周期性的品类之一。2024–2025 年，三星、SK 海力士等厂商减产 15–25%，叠加 AI 服务器需求爆发，NAND 晶圆价格从底部暴涨约 246–500%（来源：Kingston/TrendForce）。NAND 价格走势是判断 AI 基础设施投资强度和存储行业周期的核心指标。
- **三星的 IDM 优势**：三星是全球少数具备 NAND 设计、晶圆制造、封装测试全链路能力的 IDM 厂商。自产 NAND 晶圆是其企业级 SSD 保持全球第一市占率（~33.8%，TrendForce Q4 2025）的根本保障。

# 其他说明

- **年销售额占比**：约10% 为**估算**值（基于 FY2025 三星 NAND Flash 销售收入约 215 亿美元年化口径，占三星总营收约 9.7%）。
- **出货量**：2026 年预计 NAND 晶圆约 468 万片为 Omdia **预计**（来源：Chosun Biz / Blocks & Files，2026 年 1 月）。三星 2025 年产出约 490 万片，2026 年减产约 4.5%，以维持价格与利润。
- **单价口径**：4,000–6,000 美元/片为 300mm NAND 晶圆制造完成后的**估算**价值（含切割前的全部制造成本），实际因层数（286层 vs 400+层）、单元格式（TLC vs QLC）和良率差异极大。三星极少外销裸晶圆，几乎全部内部消化用于自有 SSD 和存储模组。
- **技术路线**：
  - V9（286层）：已量产，采用双层键合，支持 TLC 与 QLC。
  - V10（400+层）：计划 2026 年量产，采用 BV NAND（Bonding Vertical NAND）技术——将存储单元与外围电路分别在不同晶圆上制造后键合，位密度提升 1.6 倍，散热更优（来源：韩国经济日报 / IEEE ISSCC 2025）。
  - V11（2027年）：I/O 速率提升 50%。
  - 2030 年：目标 1,000+ 层。
- **竞争格局**：三星与 SK 海力士、美光、铠侠、西部数据合计占全球 NAND 市场 90% 以上。SK 海力士 321 层 TLC 已量产，在层数上暂时领先；三星凭借 BV NAND 技术有望在 V10 上夺回层数优势。
- **地缘风险**：三星西安 NAND 工厂占其总产能约 40%，面临美国对华技术出口管制风险（先进设备升级受限）。三星正将部分产能向韩国平泽回流。

# 产品细分清单

| 分类 | 世代 | 堆叠层数 | 单元格式 | I/O 速率 | 量产状态 | 说明 |
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| V8 | 第8代 V-NAND | 236层 | TLC / QLC | 2.0 Gbps | 已量产 | 上一代主力 |
| V9 | 第9代 V-NAND | 286层 | TLC / QLC | 3.2 Gbps | 已量产 | 当前主力，AI数据中心SSD核心 |
| V10 | 第10代 V-NAND | 400+层 | TLC / QLC | 5.6 Gbps | 2026年预计量产 | BV NAND键合技术，位密度+60% |
| V11 | 第11代 V-NAND | — | — | 提升50% | 2027年预计 | 路线图阶段 |

> 数据来源：三星官方技术路线图、IEEE ISSCC 2025（Session 30.1）、TrendForce、韩国经济日报。

### 上游产品

- [应用材料-沉积与刻蚀设备](应用材料-沉积与刻蚀设备.md)：NAND Flash 3D堆叠制造需要大量薄膜沉积（CVD/ALD）和刻蚀工序，应用材料是三星NAND晶圆制造的核心沉积刻蚀设备供应商，行业研报称三星使用AMAT设备进行钼沉积等新一代NAND工艺（来源：《DUV时代刻蚀和沉积设备重要性凸显》行业研报，2024）。
- [泛林-刻蚀设备](泛林-刻蚀设备.md)：泛林（Lam Research）已向三星电子提供多台钼沉积设备用于下一代NAND工艺，并与东京电子共同开发低温刻蚀技术，泛林是三星NAND晶圆刻蚀/沉积设备的主力供应商（来源：新浪财经《三星计划到2030年实现1000层NAND》，2025年2月）。

### 下游产品

- [三星-E1.S企业级固态硬盘](三星-E1.S企业级固态硬盘.md)：三星半导体官网及行业媒体披露，三星E1.S企业级SSD（如PM9A3、PM1733）直接采用三星自有V-NAND Flash晶圆，三星NAND Flash是其SSD产品的核心上游内部供应（官方产品资料确认）。
- [三星-M.2固态硬盘](三星-M.2固态硬盘.md)：三星SSD采用其自研V-NAND晶圆，2013年量产全球首款3D V-NAND，M.2 SSD 980/990系列均使用三星内部自供V-NAND闪存，构建完整内部供应链闭环（来源：三星半导体官方技术博客）。
