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股票代码: MU
上市状态: 上市
国家: 美国
市值: 约1500亿美元（2025年NASDAQ）
年营收: 373.78亿美元（2025财年，创历史新高，同比增长49%）
AI业务占比: 数据中心业务占56%（含HBM+DDR5+SSD），DRAM占总营收75-79%
毛利率: FY2025全年40.9%，FY2026Q1指引50.5-52.5%
净利润: FY2025全年净利润大幅增长，Q4 FY2025每股收益3.03美元
官网: www.micron.com
X主页: 'https://x.com/MicronTech'
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# 简介
美光科技公司（Micron Technology, Inc.）成立于1978年，总部位于美国爱达荷州博伊西，是全球存储器行业三大巨头之一，也是美国本土唯一拥有DRAM/HBM量产能力的存储厂商。公司于NASDAQ上市（MU.O），员工约53,000人。产品覆盖DRAM、NAND Flash、NOR内存及SSD，在AI数据中心需求爆发周期中，HBM与高带宽存储成为增长最快的业务线。

# 业务结构
FY2026Q1按产品类型：
- **DRAM**：108亿美元，占79%（含HBM、DDR5、LPDDR5X）；
- **NAND**：27亿美元，占20%（含企业级SSD、移动/客户端存储）；
- **NOR及其他**：约1.4亿美元，占1%。

FY2025Q4按业务单元：
- Cloud Memory（云存储）：45.4亿美元，40%；
- Core Data Center（核心数据中心）：15.8亿美元，14%；
- Mobile and Client（移动与客户端）：37.6亿美元，33%；
- Automotive and Embedded（汽车与嵌入式）：14.3亿美元，13%。

# 商业模式
DRAM与NAND按容量和周期定价，HBM按长期合同（LTSA）锁定量价。数据中心SSD与HBM是当前利润最丰厚的板块。客户集中度较高，英伟达、AMD、微软、谷歌、亚马逊等是核心买家。2026年HBM产能已全部售罄。

# 护城河
1. **美国本土DRAM产能壁垒**：唯一在美国拥有大规模DRAM/HBM制造能力的厂商，Idaho ID-1已于2025年10月投产，New York Clay大厂提前至2027年；获CHIPS Act 61亿美元拨款+75亿美元贷款；
2. **技术差异化**：采用open bit-line架构与垂直电容，HBM3e同等带宽下功耗较竞品低约30%；
3. **HBM产能锁定**：2026年全年HBM产能已与客户敲定价格和数量；
4. **制造与规模**：1β/1γ节点DRAM已量产，G9 NAND I/O速率领先。

# 竞争格局
全球DRAM三强：三星（2025Q4市占率36.6%）、SK海力士（Q1-Q3持续第一）、美光（2025Q3市占率25.7%，环比+3.7pp）。SK海力士在HBM领域绝对领先（HBM3>90%、HBM3E~70%），三星DRAM总规模仍第一。美光是2025年Q3增长最快的DRAM厂商，增速远超竞争对手。

# 关键人物
- Sanjay Mehrotra（董事长&CEO）：存储行业数十年经验，核心信息：2026年HBM产能全部售罄，HBM4将于CY26Q2量产
- Mark Murphy（EVP&CFO）：负责财务规划与资本开支，FY2026 capex预计超250亿美元

# 观点
美光是AI存储超级周期中弹性最大的纯存储标的之一。HBM从<2%到~26%的收入占比跃迁，使其从传统周期股向成长股切换。短期看，非HBM DRAM的毛利率已在涨价潮中反超HBM（瑞银预测FY2026Q2传统DRAM毛利率67% vs HBM 62%）。长期看，美光能否在HBM4/HBM4E时代维持20%+市占率，是决定其估值能否站稳万亿的关键变量。
